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SIS407ADN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5875pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIS407ADN-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 168nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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SIS407ADN-T1-GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIS402DN VISHAY 特殊なホットIC 50045
SiS402DN IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 5416
SIS402DN-T1-E3 VISHAY 特殊なホットIC 3594
SIS402DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 40197
SIS402DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1270
SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
SIS402DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 816
SIS402DN-T1-GE3 QFN8 VISHAY 特殊なホットIC 2544
SIS406DN SI 特殊なホットIC 54972
SIS406DN MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 493

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SIS407ADN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS407ADN-T1-GE3 参考価格. SIS407ADN-T1-GE3 パラメーター, SIS407ADN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS407ADN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS407ADN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS407ADN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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