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SIS612EDNT-T1-GE3
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SIS612EDNT-T1-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Detailed Description | N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 14A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | Q8619879 SIS612EDNT-T1-GE3-ND SIS612EDNT-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
SIS612EDNT-T1-GE3 書類
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データシート
SIS612EDNT-T1-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SIS61" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SIS61'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SIS612EDNT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 629 |
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SIS612EDNT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIS612EDNT-T1-GE3 参考価格. SIS612EDNT-T1-GE3 パラメーター, SIS612EDNT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIS612EDNT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIS612EDNT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIS612EDNT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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