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SISS02DN-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8S
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 83nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Ta), 80A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +16V, -12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8S
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISS02DN-GE3 SISS02DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4450pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 25V 51A (Ta), 80A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
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SISS04DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2534

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SISS02DN-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SISS02DN-T1-GE3 参考価格. SISS02DN-T1-GE3 パラメーター, SISS02DN-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SISS02DN-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SISS02DN-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SISS02DN-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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