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SIZ328DT-T1-GE3 技術仕様

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET® Gen IV
Power - Max 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-Power33 (3x3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIZ328DT-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SIZ320DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 15065
SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ322DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 15045
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SIZ328DT-T1-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SIZ328DT-T1-GE3 参考価格. SIZ328DT-T1-GE3 パラメーター, SIZ328DT-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SIZ328DT-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SIZ328DT-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SIZ328DT-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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