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SQ2303ES-T1_GE3 技術仕様

MOSFET P-CHAN 30V SOT23

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 2.5A (Tc) 1.9W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-236 (SOT-23)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SQ2303ES-T1_GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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SQ2303ES-T1_GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SQ230"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQ2301ES-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 487720
SQ2301ES-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6271
SQ2301ES-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 19437
SQ2301ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 65827
SQ2301ES-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2980
SQ2301ES-T1_GE3 MOS Vishay Precision Group 特殊なホットIC 6446
SQ2303ES-T1-GE3 V 特殊なホットIC 38146
SQ2303ES-T1-GE3 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 47483
SQ2303ES-T1-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 16353
SQ2303ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 65076

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SQ2303ES-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQ2303ES-T1_GE3 参考価格. SQ2303ES-T1_GE3 パラメーター, SQ2303ES-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQ2303ES-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQ2303ES-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQ2303ES-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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