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SQD100N03-3M2L_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6316pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD100N03-3M2L_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD100A6 SANREX IGBTモジュール 2723
SQD100A60 SANREX IGBTモジュール 2671
SQD100A60S SANREX IGBTモジュール 2546
SQD100M60 SANREX IGBTモジュール 2633
SQD100N02-3m5L Vishay Precision Group 特殊なホットIC 10422
SQD100N02-3M5L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2545
SQD100N03-3M2L V 特殊なホットIC 10449
SQD100N03-3m2L-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 6500
SQD100N03-3m4 VISHAY 特殊なホットIC 10247
SQD100N03-3M4_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2523

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SQD100N03-3M2L_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD100N03-3M2L_GE3 参考価格. SQD100N03-3M2L_GE3 パラメーター, SQD100N03-3M2L_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD100N03-3M2L_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD100N03-3M2L_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD100N03-3M2L_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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