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SQD35N05-26L-GE3
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SQD35N05-26L-GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 55V 30A TO252
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1175pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 55V 30A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
SQD35N05-26L-GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQD35N05-26L-GE3
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データシート
SQD35N05-26L-GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQD35" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQD35'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQD35JA140 | SANREX | IGBTモジュール | 2709 |
SQD35JA160 | SANREX | IGBTモジュール | 2719 |
SQD35N05-26L-GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10427 |
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SQD35N05-26L-GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD35N05-26L-GE3 参考価格. SQD35N05-26L-GE3 パラメーター, SQD35N05-26L-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD35N05-26L-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD35N05-26L-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD35N05-26L-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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