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SQD40N10-25_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3380pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQD40N10-25-GE3 SQD40N10-25-GE3-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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SQD40N10-25_GE3 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQD40N10-25_GE3

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD40020E VISH 特殊なホットIC 13934
SQD40020EL VISH 特殊なホットIC 13139
SQD40030E VISH 特殊なホットIC 13019
SQD40030E_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
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SQD40081EL_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2581
SQD400A60 SANREX IGBTモジュール 2848
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SQD40N10-25_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD40N10-25_GE3 参考価格. SQD40N10-25_GE3 パラメーター, SQD40N10-25_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD40N10-25_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD40N10-25_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD40N10-25_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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