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SQD50N10-8M9L_GE3 技術仕様

MOSFET N-CHAN 100V TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQD50N10-8M9L_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SQD50N10-8M9L_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQD50A100 SANREX IGBTモジュール 2974
SQD50A60 SANREX IGBTモジュール 2703
SQD50A90 SANREX IGBTモジュール 2807
SQD50AA100 SANREX IGBTモジュール 2713
SQD50AB100 IGBT Module IGBTモジュール 2744
SQD50AB90 SANREX IGBTモジュール 2884
SQD50B90 SANREX IGBTモジュール 2886
SQD50BA100 SANREX IGBTモジュール 2570
SQD50BB75 SANREX IGBTモジュール 2610
SQD50BB90 SanRex IGBTモジュール 2280

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SQD50N10-8M9L_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD50N10-8M9L_GE3 参考価格. SQD50N10-8M9L_GE3 パラメーター, SQD50N10-8M9L_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD50N10-8M9L_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD50N10-8M9L_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD50N10-8M9L_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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