SQD50P08-28_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6035pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD50A100 SANREX IGBTモジュール 2974
SQD50A60 SANREX IGBTモジュール 2703
SQD50A90 SANREX IGBTモジュール 2807
SQD50AA100 SANREX IGBTモジュール 2713
SQD50AB100 IGBT Module IGBTモジュール 2744
SQD50AB90 SANREX IGBTモジュール 2884
SQD50B90 SANREX IGBTモジュール 2886
SQD50BA100 SANREX IGBTモジュール 2570
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SQD50BB90 SanRex IGBTモジュール 2280

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SQD50P08-28_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQD50P08-28_GE3 参考価格. SQD50P08-28_GE3 パラメーター, SQD50P08-28_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQD50P08-28_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQD50P08-28_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQD50P08-28_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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