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SQJ260EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 27W (Tc), 48W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc), 54A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJ260EP-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ262EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2548
SQJ262EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ

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SQJ260EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ260EP-T1_GE3 参考価格. SQJ260EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ260EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ260EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ260EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ260EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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