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SQJ960EP-T1_GE3 技術仕様

MOSFET 2N-CH 60V 8A

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 34W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.3A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQJ960EP-T1_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SQJ960EP-T1_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2680
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ962EP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3006
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 3109
SQJ962EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ963EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 12879
SQJ963EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2770
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ 2705
SQJ963EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETトランジスタアレイ
SQJ964EP-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 1183

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SQJ960EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJ960EP-T1_GE3 参考価格. SQJ960EP-T1_GE3 パラメーター, SQJ960EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJ960EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJ960EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJ960EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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