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SQJB40EP-T1_GE3
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SQJB40EP-T1_GE3 技術仕様
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 34W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 8A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | SQJB40EP-T1_GE3CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
SQJB40EP-T1_GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQJB40EP-T1_GE3
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データシート
SQJB40EP-T1_GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQJB4" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQJB4'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQJB40EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2605 |
SQJB40EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ | |
SQJB42EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2710 |
SQJB42EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ | 2672 |
SQJB42EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETトランジスタアレイ |
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SQJB40EP-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJB40EP-T1_GE3 参考価格. SQJB40EP-T1_GE3 パラメーター, SQJB40EP-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJB40EP-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJB40EP-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJB40EP-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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