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SQJQ402E-T1_GE3 技術仕様

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 8 x 8 Single
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJQ402E-T1_GE3-ND SQJQ402E-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
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SQJQ402E-T1_GE3 書類

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その他には以下が含まれます：   "SQJQ4"   部品

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQJQ402E-T1-GE3 Vishay Precision Group 特殊なホットIC 1540
SQJQ404E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2568
SQJQ410EL-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3156
SQJQ410EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1358
SQJQ466E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2591
SQJQ480E-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2779
SQJQ480E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2568

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SQJQ402E-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQJQ402E-T1_GE3 参考価格. SQJQ402E-T1_GE3 パラメーター, SQJQ402E-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQJQ402E-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQJQ402E-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQJQ402E-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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