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SQM40N15-38_GE3
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SQM40N15-38_GE3 技術仕様
MOSFET N-CH 150V 40A TO263
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 166W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3390pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 150V 40A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SQM40N15-38-GE3 SQM40N15-38-GE3-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
SQM40N15-38_GE3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SQM40N15-38_GE3
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データシート
SQM40N15-38_GE3.pdf
その他には以下が含まれます: "SQM40" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SQM40'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SQM40010EL_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2779 |
SQM40010EL_GE3 | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2785 |
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SQM40016EM_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2540 |
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SQM40031EL_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2695 |
SQM40031EL_GE3 | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
SQM40061EL_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2657 |
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