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SQR50N04-3M8_GE3 技術仕様

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 50A (Tc) 136W (Tc) Through Hole D-PAK (TO-252)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-PAK (TO-252)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 20A, 10V
Package / Case TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQR50N03-06P-GE3 V 特殊なホットIC 10000
SQR50N04-3M8 VISHAY 特殊なホットIC 10417
SQR50N06-07L VBsemi 特殊なホットIC 10436
SQR50N06-07L-GE3 V 特殊なホットIC 2557
SQR50N06-07L-GE3 MOS VBSEMI 特殊なホットIC 2328

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SQR50N04-3M8_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQR50N04-3M8_GE3 参考価格. SQR50N04-3M8_GE3 パラメーター, SQR50N04-3M8_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQR50N04-3M8_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQR50N04-3M8_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQR50N04-3M8_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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