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SQS423EN-T1_GE3 技術仕様

MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1975pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQS423EN-T1_GE3-ND SQS423EN-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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SQS423EN-T1_GE3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SQS420EN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 19222
SQS420EN-T1_GE3 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2784
SQS420EN-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
SQS423EN-T1-GE3 VISHAY 特殊なホットIC 1281

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SQS423EN-T1_GE3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, SQS423EN-T1_GE3 参考価格. SQS423EN-T1_GE3 パラメーター, SQS423EN-T1_GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SQS423EN-T1_GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SQS423EN-T1_GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SQS423EN-T1_GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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