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VS-10ETF12STRR-M3 技術仕様

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.33V @ 10A
Supplier Device Package D2PAK
Reverse Recovery Time (trr) 310ns
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 1200V 10A Surface Mount D2PAK
Current - Average Rectified (Io) 10A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-100BGQ015HF4 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2750
VS-100BGQ015HF4 Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
VS-100BGQ030 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2655
VS-100BGQ030 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2510
VS-100BGQ030HF4 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2659
VS-100BGQ030HF4 Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
VS-100BGQ045 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 3043
VS-100BGQ045 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 1388
VS-100BGQ045HF4 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2744
VS-100BGQ100 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2541

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VS-10ETF12STRR-M3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, VS-10ETF12STRR-M3 参考価格. VS-10ETF12STRR-M3 パラメーター, VS-10ETF12STRR-M3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-10ETF12STRR-M3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-10ETF12STRR-M3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-10ETF12STRR-M3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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