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VS-8EWS10STRR-M3 技術仕様

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 1000V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Current - Average Rectified (Io) 8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F -
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VS-8EWS10STRR-M3 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-8E2TH06 IC Vishay Precision Group 特殊なホットIC 20254
VS-8E2TX06-M VISHAY 特殊なホットIC 891
VS-8ETH03-1-M3 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2642
VS-8ETH03-1PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2703
VS-8ETH03-M3 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2695
VS-8ETH03-N3 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2562
VS-8ETH03-N3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2617
VS-8ETH03-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
VS-8ETH03PBF Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 0
VS-8ETH03PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2740

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VS-8EWS10STRR-M3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, VS-8EWS10STRR-M3 参考価格. VS-8EWS10STRR-M3 パラメーター, VS-8EWS10STRR-M3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-8EWS10STRR-M3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-8EWS10STRR-M3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-8EWS10STRR-M3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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