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VS-ETH0806-M3 技術仕様

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.65V @ 8A
Supplier Device Package TO-220-2
Series FRED Pt®
Packaging Bulk
Other Names VSETH0806M3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 45 Weeks
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 12µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Package / Case TO-220-2
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220-2
Current - Average Rectified (Io) 8A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-ETF075Y60U Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 15
VS-ETF075Y60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2753
VS-ETF075Y60U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-ETF150Y65N Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2500
VS-ETF150Y65N Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2510
VS-ETF150Y65N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-ETF150Y65U Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2685
VS-ETF150Y65U Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2655
VS-ETF150Y65U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-ETH0806-M3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 1374

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VS-ETH0806-M3 ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, VS-ETH0806-M3 参考価格. VS-ETH0806-M3 パラメーター, VS-ETH0806-M3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-ETH0806-M3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-ETH0806-M3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-ETH0806-M3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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