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VS-GBPC3510W 技術仕様

RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) 1kV
Supplier Device Package GBPC-W
Package / Case 4-Square, GBPC-W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole GBPC-W
Current - Average Rectified (Io) 35A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology Standard
Packaging Tray
Other Names GBPC3510WIR GBPC3510WIR-ND GBPC3510WVS GBPC3510WVS-ND VS-GBPC3510WIR VS-GBPC3510WIR-ND VS-GBPC3510WVS VSGBPC3510W VSGBPC3510WIR-ND
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Diode Type Single Phase
Current - Reverse Leakage @ Vr 2mA @ 1000V
Base Part Number GBPC3510
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2689
VS-GB100LH120N Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2631
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GB100LP120N Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2567

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VS-GBPC3510W ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, VS-GBPC3510W 参考価格. VS-GBPC3510W パラメーター, VS-GBPC3510W データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-GBPC3510W プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-GBPC3510W ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-GBPC3510W エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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