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VS-GT100TP60N 技術仕様

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-PAK (3 + 4)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 37 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.71nF @ 30V
IGBT Type Trench
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Power - Max 417W
Other Names VSGT100TP60N
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Half Bridge 600V 160A 417W Chassis Mount INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 160A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-GT100DA120U Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 0
VS-GT100DA120U Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2716
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GT100DA120UF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GT100DA60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2615
VS-GT100DA60U Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2530
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTモジュール
VS-GT100LA120UX Vishay / Semiconductor - Diodes Division トランジスタ - IGBT - モジュール 2637
VS-GT100LA120UX Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - IGBT - モジュール 2655

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VS-GT100TP60N ブランドメーカー: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip ストック, VS-GT100TP60N 参考価格. VS-GT100TP60N パラメーター, VS-GT100TP60N データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-GT100TP60N プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-GT100TP60N ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-GT100TP60N エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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