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VS-ST083S08PFN2
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VS-ST083S08PFN2 技術仕様
SCR 800V 135A TO-94
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / サイリスタ - SCR |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 2.15V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
SCR Type | Standard Recovery |
Package / Case | TO-209AC, TO-94-4, Stud |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Detailed Description | SCR 800V 135A Standard Recovery Chassis, Stud Mount TO-209AC (TO-94) |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 85A |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2060A, 2160A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Off State | 800V |
Supplier Device Package | TO-209AC (TO-94) |
Packaging | Bulk |
Other Names | VSST083S08PFN2 |
Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 135A |
Current - Off State (Max) | 30mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 600mA |
VS-ST083S08PFN2 書類
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データシート
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
VS-ST083S04PFM1 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | サイリスタ - SCR | 2742 |
VS-ST083S04PFM1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | サイリスタ - SCR | 2508 |
VS-ST083S04PFM1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | SCRs サイリスタ | |
VS-ST083S04PFM1P | Electro-Films (EFI) / Vishay | サイリスタ - SCR | 2581 |
VS-ST083S04PFM1P | Vishay Semiconductor Diodes Division | SCRs サイリスタ | |
VS-ST083S04PFN1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | サイリスタ - SCR | 2734 |
VS-ST083S04PFN1 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | サイリスタ - SCR | 2773 |
VS-ST083S04PFN1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | SCRs サイリスタ | |
VS-ST083S04PFN1P | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | サイリスタ - SCR | 2537 |
VS-ST083S04PFN1P | Electro-Films (EFI) / Vishay | サイリスタ - SCR | 2551 |
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