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2N5551_J18Z 技術仕様

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N5550 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2525
2N5550BU ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N5550BU Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 757
2N5550G ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
2N5550G Rochester Electronics, LLC 単一BJTトランジスタ

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2N5551_J18Z ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, 2N5551_J18Z 参考価格. 2N5551_J18Z パラメーター, 2N5551_J18Z データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N5551_J18Z プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N5551_J18Z ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N5551_J18Z エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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