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2N5830_D26Z
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2N5830_D26Z 技術仕様
TRANS NPN 100V 0.2A TO-92
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
2N5830_D26Z 書類
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データシート
2N5830_D26Z.pdf
その他には以下が含まれます: "2N583" 部品
次の部分には次のものが含まれます '2N583'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
2N5830 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 3141 |
2N5830 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 10810 |
2N5830 | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
2N5830 | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ | |
2N5830_D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2565 |
2N5836 | M | 特殊なホットIC | 1227 |
2N5837 | MOT | 特殊なホットIC | 568 |
2N5838 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2737 |
2N5839 | Microsemi | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2567 |
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2N5830_D26Z ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, 2N5830_D26Z 参考価格. 2N5830_D26Z パラメーター, 2N5830_D26Z データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 2N5830_D26Z プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 2N5830_D26Z ピン図と回路図と機能の使用方法、 2N5830_D26Z エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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