BD537K 技術仕様

TRANS NPN 80V 8A TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Power - Max 50W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 8A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-220
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 12MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
BD537 STMicroelectronics トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2616
BD537-K Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 856
BD537J AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 0
BD537J Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2740
BD537J ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
BD537K AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2650
BD537K ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
BD537KTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2619
BD537KTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2646
BD537KTU ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ

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