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FDB8876
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FDB8876 技術仕様
MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 40A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PowerTrench® |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 71A (Tc) |
FDB8876 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "FDB88" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FDB8832 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 18991 |
FDB8832 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 452 |
FDB8832 | ON Semiconductor | 単一MOSFETトランジスタ | |
FDB8832 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 18247 |
FDB8832-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2518 |
FDB8832_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 10298 |
FDB8860 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 28579 |
FDB8860 | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 28579 |
FDB8860 | ON Semiconductor | 単一MOSFETトランジスタ | |
FDB8860 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | 特殊なホットIC | 17658 |
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FDB8876 ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FDB8876 参考価格. FDB8876 パラメーター, FDB8876 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FDB8876 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FDB8876 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FDB8876 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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