FDMT80080DC 技術仕様

MOSFET N-CH 80V

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Dual Cool™, PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-PQFN (8x8)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 mOhm @ 36A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20720pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Ta), 254A (Tc)
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FDMT800100DC Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3226
FDMT800100DC AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3158
FDMT800100DC ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDMT800120DC AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3151
FDMT800120DC Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 465
FDMT800120DC ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDMT800150DC Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2718
FDMT800150DC AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
FDMT800150DC ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FDMT800152DC Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2774

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