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FJN4304RBU
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FJN4304RBU 技術仕様
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 47k |
Packaging | Bulk |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
FJN4304RBU 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "FJN43" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FJN4301RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2704 |
FJN4301RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2518 |
FJN4301RBU | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4301RTA | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2679 |
FJN4301RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2715 |
FJN4301RTA | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4302RBU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2580 |
FJN4302RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2562 |
FJN4302RBU | ON Semiconductor | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
FJN4302RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 18000 |
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