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FJNS3212RBU 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Bulk
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FJNS3201RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2729
FJNS3201RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2689
FJNS3201RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2571
FJNS3201RTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2741
FJNS3201RTA Rochester Electronics, LLC 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3201RTA ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ
FJNS3202RBU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2618
FJNS3202RBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2690
FJNS3202RBU ON Semiconductor 事前バイアスBJTトランジスタ

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FJNS3212RBU ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FJNS3212RBU 参考価格. FJNS3212RBU パラメーター, FJNS3212RBU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FJNS3212RBU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FJNS3212RBU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FJNS3212RBU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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