FMBM5551 技術仕様

TRANS NPN 160V 0.6A SSOT-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 700mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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FMBM5401 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 17399
FMBM5401 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 1166
FMBM5401 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
FMBM5401-SB74001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2704
FMBM5401-SB74001 ON Semiconductor 単一BJTトランジスタ
FMBM5401_SB74001 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル 2618
FMBM5551 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 13662
FMBM5551 ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ
FMBM5551-SB16001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ 2779
FMBM5551-SB16001 ON Semiconductor 配列 BJT トランジスタ

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