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FQD20N06TM 技術仕様

MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 8.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.8A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQD20N06 F 特殊なホットIC 10343
FQD20N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 22995
FQD20N06-NL VB 特殊なホットIC 5000
FQD20N06L FCS 特殊なホットIC 2826
FQD20N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 6331
FQD20N06LE FAI 特殊なホットIC 43270
FQD20N06LETM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 24235
FQD20N06LETM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10310
FQD20N06LETM Rochester Electronics, LLC 単一MOSFETトランジスタ
FQD20N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 10000

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FQD20N06TM ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQD20N06TM 参考価格. FQD20N06TM パラメーター, FQD20N06TM データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQD20N06TM プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQD20N06TM ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQD20N06TM エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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