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FQD2N100TM 技術仕様

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 800mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQD2N100 FAIRCHILD 特殊なホットIC 20446
FQD2N100TF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2708
FQD2N100TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2524
FQD2N100TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6627
FQD2N100TM ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FQD2N100TM MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 4930
FQD2N30 FAI 特殊なホットIC 7000
FQD2N30 MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 2779
FQD2N30TF VB 特殊なホットIC 5000
FQD2N30TM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2614

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FQD2N100TM ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQD2N100TM 参考価格. FQD2N100TM パラメーター, FQD2N100TM データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQD2N100TM プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQD2N100TM ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQD2N100TM エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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