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FQI4N90TU 技術仕様

MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQI4N20 FSC 特殊なホットIC 3500
FQI4N20L FSC 特殊なホットIC 466
FQI4N20LTU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2630
FQI4N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
FQI4N20TU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3000
FQI4N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 3000
FQI4N20TU Rochester Electronics, LLC FQI4N20TU
FQI4N25 FSC 特殊なホットIC 8000
FQI4N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2530
FQI4N25TU Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2682

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FQI4N90TU ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQI4N90TU 参考価格. FQI4N90TU パラメーター, FQI4N90TU データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQI4N90TU プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQI4N90TU ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQI4N90TU エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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