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FQI6N15TU
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FQI6N15TU 技術仕様
MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 63W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Tc) |
FQI6N15TU 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください FQI6N15TU
-
データシート
FQI6N15TU.pdf
その他には以下が含まれます: "FQI6N" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'FQI6N'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
FQI6N15TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2688 |
FQI6N25TU | FSC | 特殊なホットIC | 2707 |
FQI6N40CTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2549 |
FQI6N40CTU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2668 |
FQI6N40TU | FSC | 特殊なホットIC | 3317 |
FQI6N50 | FSC | 特殊なホットIC | 8000 |
FQI6N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2738 |
FQI6N50TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2701 |
FQI6N60C | FSC | 特殊なホットIC | 8000 |
FQI6N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2566 |
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輸送方法 | ||
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