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FQP2N80 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
FQP2N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6174
FQP2N30 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 980
FQP2N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 16001
FQP2N40 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 631
FQP2N40-F080 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2617
FQP2N40-F080 ON Semiconductor 単一MOSFETトランジスタ
FQP2N50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
FQP2N50 Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
FQP2N50 Rochester Electronics, LLC 単一MOSFETトランジスタ
FQP2N60 AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 11387

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FQP2N80 ブランドメーカー: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip ストック, FQP2N80 参考価格. FQP2N80 パラメーター, FQP2N80 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 FQP2N80 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 FQP2N80 ピン図と回路図と機能の使用方法、 FQP2N80 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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