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MPS6562
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MPS6562 技術仕様
TRANS PNP 25V 1A TO-92
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 60MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
MPS6562 書類
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データシート
MPS6562.pdf
その他には以下が含まれます: "MPS65" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MPS65'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MPS650 | Central Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 10426 |
MPS650 | Rochester Electronics, LLC | 事前バイアスBJTトランジスタ | |
MPS650G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 1208 |
MPS650G | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MPS650G | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ | |
MPS650RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 2567 |
MPS650RLRA | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MPS650RLRAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル | 17586 |
MPS650RLRAG | ON Semiconductor | 単一BJTトランジスタ | |
MPS650RLRAG | Rochester Electronics, LLC | 単一BJTトランジスタ |
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輸送方法 | ||
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