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1N8026-GA 技術仕様

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 2.5A
Supplier Device Package TO-257
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Package / Case TO-257-3
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F 237pF @ 1V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 250°C
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified (Io) 8A (DC)
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1N8024-GA GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2670
1N8028-GA GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2633

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1N8026-GA ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, 1N8026-GA 参考価格. 1N8026-GA パラメーター, 1N8026-GA データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N8026-GA プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N8026-GA ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N8026-GA エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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