2N7635-GA 技術仕様

TRANS SJT 650V 4A TO-257

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-257
Power Dissipation (Max) 47W (Tc)
Package / Case TO-257-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc) (165°C)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 415 mOhm @ 4A
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 225°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 35V
FET Type -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2627
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2524
2N7638-GA GeneSiC Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2612
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2745

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