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GA10SICP12-263
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GA10SICP12-263 技術仕様
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
FET Type | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | 3.5V |
Supplier Device Package | D2PAK (7-Lead) |
Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
GA10SICP12-263 書類
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データシート
GA10SICP12-263.pdf
その他には以下が含まれます: "GA10S" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GA10SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor | パワードライバーモジュール | 2511 |
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GA10SICP12-263 ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, GA10SICP12-263 参考価格. GA10SICP12-263 パラメーター, GA10SICP12-263 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GA10SICP12-263 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GA10SICP12-263 ピン図と回路図と機能の使用方法、 GA10SICP12-263 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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