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GB01SLT12-252 技術仕様

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1A
Supplier Device Package TO-252
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified (Io) 1A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2709
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 5298
GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2685

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GB01SLT12-252 ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, GB01SLT12-252 参考価格. GB01SLT12-252 パラメーター, GB01SLT12-252 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GB01SLT12-252 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GB01SLT12-252 ピン図と回路図と機能の使用方法、 GB01SLT12-252 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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