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GB02SHT03-46
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GB02SHT03-46 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 300V 4A
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1A |
Supplier Device Package | TO-46 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 225°C |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
GB02SHT03-46 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください GB02SHT03-46
-
データシート
GB02SHT03-46.pdf
その他には以下が含まれます: "GB02S" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'GB02S'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2680 |
GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2607 |
GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2761 |
GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2587 |
GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2689 |
GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - シングル | 2546 |
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GB02SHT03-46 ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, GB02SHT03-46 参考価格. GB02SHT03-46 パラメーター, GB02SHT03-46 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GB02SHT03-46 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GB02SHT03-46 ピン図と回路図と機能の使用方法、 GB02SHT03-46 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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