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GBPC3502T
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GBPC3502T 技術仕様
DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Supplier Device Package | GBPC-T |
Package / Case | 4-Square, GBPC-T |
Mounting Type | QC Terminal |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
GBPC3502T 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください GBPC3502T
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データシート
1.GBPC3502T.pdf 2.GBPC3502T.pdf
その他には以下が含まれます: "GBPC3" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'GBPC3'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GBPC35005 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2787 |
GBPC35005 | Diodes Incorporated | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2696 |
GBPC35005 | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2791 |
GBPC35005 | ON Semiconductor | ブリッジ整流器 | |
GBPC35005 T0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2778 |
GBPC35005 T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBPC35005-E4/1 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2612 |
GBPC35005-E4/1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2656 |
GBPC35005-E4/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBPC35005-E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2634 |
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GBPC3502T ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, GBPC3502T 参考価格. GBPC3502T パラメーター, GBPC3502T データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GBPC3502T プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GBPC3502T ピン図と回路図と機能の使用方法、 GBPC3502T エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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