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MBR20060CTR
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MBR20060CTR 技術仕様
DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 100A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 20V |
MBR20060CTR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MBR20060CTR
その他には以下が含まれます: "MBR20" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MBR20'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBR200100 | MOTOROLA | IGBTモジュール | 2797 |
MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2727 |
MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2700 |
MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2518 |
MBR200100R | MOTOROLA | IGBTモジュール | 2689 |
MBR20010CT | MOTOROLA | IGBTモジュール | 2600 |
MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2682 |
MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2730 |
MBR20015CTL | MOTOROLA | IGBTモジュール | 2844 |
MBR20020 | MOTOROLA | IGBTモジュール | 3000 |
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MBR20060CTR ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MBR20060CTR 参考価格. MBR20060CTR パラメーター, MBR20060CTR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MBR20060CTR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MBR20060CTR ピン図と回路図と機能の使用方法、 MBR20060CTR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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