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MBR2X120A200
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MBR2X120A200 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 120A |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 200V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 2 Independent |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120A |
MBR2X120A200 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MBR2X120A200
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データシート
MBR2X120A200.pdf
その他には以下が含まれます: "MBR2X" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MBR2X'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBR2X030A045 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2706 |
MBR2X030A060 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2544 |
MBR2X030A080 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2604 |
MBR2X030A100 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2616 |
MBR2X050A045 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2547 |
MBR2X050A060 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2668 |
MBR2X050A080 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2691 |
MBR2X050A100 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2511 |
MBR2X050A120 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2785 |
MBR2X050A150 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2668 |
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輸送方法 | ||
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