MBR3530 技術仕様

DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 680mV @ 35A
Supplier Device Package DO-4
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 35A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1.5mA @ 20V
Capacitance @ Vr, F -
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MBR350 ON 特殊なホットIC 670
MBR350L ON 特殊なホットIC 2746
MBR350RL AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 2709
MBR350RL ON Semiconductor 単相ダイオード整流器
MBR350RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor ダイオード - 整流器 - シングル 15311
MBR350RLG ON Semiconductor 単相ダイオード整流器
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