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MBR40035CTR
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MBR40035CTR 技術仕様
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 200A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky, Reverse Polarity |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 35V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 400A (DC) |
MBR40035CTR 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください MBR40035CTR
その他には以下が含まれます: "MBR40" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MBR40'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBR400100 | IGBT Module | IGBTモジュール | 2340 |
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 1418 |
MBR400100CTL | ON | IGBTモジュール | 2772 |
MBR400100CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2712 |
MBR400100TC | MOTORO | IGBTモジュール | 2686 |
MBR400150CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2500 |
MBR400150CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2778 |
MBR400200CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2766 |
MBR400200CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2559 |
MBR40020CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2704 |
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輸送方法 | ||
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