MBR50060CTR 技術仕様

DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 800mV @ 250A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky, Reverse Polarity
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 500A (DC)
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MBR500100CT GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2685
MBR500100CTR GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2569
MBR500150CT GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2763
MBR500150CTR GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2742
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2502
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor ダイオード - 整流器 - アレイ 2680
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