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MBR600200CTR 技術仕様

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
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MBR600200CTR ブランドメーカー: GeneSiC Semiconductor, Bonchip ストック, MBR600200CTR 参考価格. MBR600200CTR パラメーター, MBR600200CTR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MBR600200CTR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MBR600200CTR ピン図と回路図と機能の使用方法、 MBR600200CTR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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