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MBRTA80035
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MBRTA80035 技術仕様
DIODE SCHOTTKY 35V 400A 3TOWER
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 400A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 35V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Three Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 400A |
MBRTA80035 書類
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データシート
MBRTA80035.pdf
その他には以下が含まれます: "MBRTA" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBRTA40020L | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2526 |
MBRTA40020RL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2686 |
MBRTA40030L | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2799 |
MBRTA40030RL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2738 |
MBRTA40035L | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2741 |
MBRTA40035RL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2709 |
MBRTA40040L | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2545 |
MBRTA40040RL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2541 |
MBRTA40045L | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2561 |
MBRTA40045RL | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2623 |
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輸送方法 | ||
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